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這種新材料,有望成為最好的半導(dǎo)體

發(fā)表時(shí)間:2022-07-22
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硅是地球上最豐富的元素之一,其純凈形式已成為許多現(xiàn)代技術(shù)的基礎(chǔ),從太陽(yáng)能電池到計(jì)算機(jī)芯片。但硅作為半導(dǎo)體的特性遠(yuǎn)非理想。


一方面,盡管硅可以讓電子輕松穿過其結(jié)構(gòu),但它不太適合“空穴”——電子的帶正電對(duì)應(yīng)物——而利用兩者對(duì)于某些類型的芯片很重要。更重要的是,硅不太擅長(zhǎng)導(dǎo)熱,這就是為什么過熱問題和昂貴的冷卻系統(tǒng)在計(jì)算機(jī)中很常見的原因。


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現(xiàn)在,麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)和其他機(jī)構(gòu)的一組研究人員進(jìn)行了實(shí)驗(yàn),表明一種稱為立方砷化硼(cubic boron arsenide)的材料克服了這兩個(gè)限制。它為電子和空穴提供高遷移率,并具有出色的導(dǎo)熱性。研究人員說,這是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最好的半導(dǎo)體材料,也許是最好的一種。


到目前為止,立方砷化硼只是在不均勻的小批量實(shí)驗(yàn)室規(guī)模的批次中制造和測(cè)試。研究人員不得不使用最初由前 MIT 博士后 Bai Song 開發(fā)的特殊方法來(lái)測(cè)試材料中的小區(qū)域。需要做更多的工作來(lái)確定立方砷化硼是否可以以實(shí)用、經(jīng)濟(jì)的形式制造,更不用說替代無(wú)處不在的硅了。研究人員說,但即使在不久的將來(lái),這種材料也可以找到一些用途,其獨(dú)特的特性會(huì)產(chǎn)生重大影響。


該發(fā)現(xiàn)今天發(fā)表在《科學(xué)》雜志上,由麻省理工學(xué)院博士后 Jungwoo Shin 和麻省理工學(xué)院機(jī)械工程教授 Gang Chen 撰寫。此外,參與者還包括休斯頓大學(xué)任志峰以及來(lái)自麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)、德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校和波士頓學(xué)院的其他 14 人。


早期的研究,包括新論文的合著者大衛(wèi)·布羅伊多的工作,從理論上預(yù)測(cè)該材料將具有高導(dǎo)熱性。隨后的工作通過實(shí)驗(yàn)證明了這一預(yù)測(cè)。這項(xiàng)最新工作通過實(shí)驗(yàn)證實(shí)了 Chen 團(tuán)隊(duì)早在 2018 年做出的預(yù)測(cè),從而完成了分析:立方砷化硼對(duì)電子和空穴也具有非常高的遷移率,“這使得這種材料非常獨(dú)特,”Chen 說。


較早的實(shí)驗(yàn)表明,立方砷化硼的熱導(dǎo)率幾乎是硅的 10 倍。“所以,這對(duì)于散熱來(lái)說非常有吸引力,”chen說。他們還表明,該材料具有非常好的帶隙,這一特性使其具有作為半導(dǎo)體材料的巨大潛力。


現(xiàn)在,這項(xiàng)新工作填補(bǔ)了這幅圖景,表明砷化硼具有高電子和空穴遷移率,具有理想半導(dǎo)體所需的所有主要品質(zhì)?!斑@很重要,因?yàn)楫?dāng)然在半導(dǎo)體中,我們同時(shí)有正電荷和負(fù)電荷。所以,如果你制造一個(gè)設(shè)備,你想要一種電子和空穴都以較小的阻力傳播的材料,”Chen 說。


硅具有良好的電子遷移率,但空穴遷移率較差,而其他材料(如廣泛用于激光器的砷化鎵)同樣具有良好的電子遷移率,但對(duì)空穴不具有良好的遷移率。


“熱量現(xiàn)在是許多電子產(chǎn)品的主要瓶頸,”該論文的主要作者 Shin 說。“碳化硅正在取代包括特斯拉在內(nèi)的主要電動(dòng)汽車行業(yè)的電力電子產(chǎn)品硅,因?yàn)楸M管電遷移率較低,但它的導(dǎo)熱率是硅的三倍。想象一下砷化硼可以達(dá)到什么效果,其導(dǎo)熱率和遷移率比硅高 10 倍。它可以改變游戲規(guī)則。”


Shin 補(bǔ)充說,“使這一發(fā)現(xiàn)成為可能的關(guān)鍵里程碑是麻省理工學(xué)院超快激光光柵系統(tǒng)的進(jìn)步,”最初由 Song 開發(fā)。他說,如果沒有這種技術(shù),就不可能證明該材料對(duì)電子和空穴的高遷移率。


他說,立方砷化硼的電子特性最初是根據(jù) Chen 的小組所做的量子力學(xué)密度函數(shù)計(jì)算來(lái)預(yù)測(cè)的,現(xiàn)在這些預(yù)測(cè)已經(jīng)通過在 MIT 進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)得到驗(yàn)證,該實(shí)驗(yàn)使用了休斯頓大學(xué)的團(tuán)隊(duì)Ren 及其成員制作的樣品的光學(xué)檢測(cè)方法。


研究人員說,這種材料的熱導(dǎo)率不僅是所有半導(dǎo)體中最好的,而且在所有材料中熱導(dǎo)率排名第三——僅次于金剛石和富含同位素的立方氮化硼?!艾F(xiàn)在,我們也從第一原理預(yù)測(cè)了電子和空穴的量子力學(xué)行為,這也被證明是正確的,”chen說。


“這令人印象深刻,因?yàn)槌耸┲?,我?shí)際上不知道有任何其他材料具有所有這些特性,”他說。“這是一種具有這些特性的散裝材料。”


他說,現(xiàn)在的挑戰(zhàn)是找出使這種材料達(dá)到可用數(shù)量的實(shí)用方法。目前制造非常不均勻的材料的方法,因此團(tuán)隊(duì)必須找到方法來(lái)測(cè)試材料的小局部補(bǔ)丁,這些補(bǔ)丁足夠均勻以提供可靠的數(shù)據(jù)。雖然他們已經(jīng)證明了這種材料的巨大潛力,但“我們不知道它是否或在哪里實(shí)際使用,”chen說。


“硅是整個(gè)行業(yè)的主力,”chen說。“所以,好吧,我們有一種更好的材料,但它真的會(huì)抵消這個(gè)行業(yè)嗎?我們不知道。” 雖然這種材料看起來(lái)幾乎是一種理想的半導(dǎo)體,但“它是否真的可以進(jìn)入設(shè)備并取代目前的一些市場(chǎng),我認(rèn)為這還有待證明?!?/p>


chen說,雖然熱性能和電性能已被證明非常出色,但材料的許多其他性能仍有待測(cè)試,例如其長(zhǎng)期穩(wěn)定性。“要制造設(shè)備,還有許多我們還不知道的其他因素?!?/p>


他補(bǔ)充說,“這可能非常重要,人們甚至沒有真正關(guān)注過這種材料?!?現(xiàn)在砷化硼的理想特性已經(jīng)變得更加清晰,這表明該材料“在許多方面都是最好的半導(dǎo)體”,他說,“也許這種材料會(huì)受到更多關(guān)注?!?/p>


對(duì)于商業(yè)用途,Ren 說,“一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)是如何像硅一樣有效地生產(chǎn)和純化立方砷化硼?!杌藥资甑臅r(shí)間才贏得桂冠,純度超過 99.99999999%,或者今天的大規(guī)模生產(chǎn)是 '10 個(gè)九'?!?/p>


chen說,要使其在市場(chǎng)上實(shí)用,“確實(shí)需要更多的人開發(fā)不同的方法來(lái)制造更好的材料并對(duì)其進(jìn)行表征?!?他說,這種發(fā)展所需的資金是否可用還有待觀察。


該研究得到了美國(guó)海軍研究辦公室的支持,并使用了麻省理工學(xué)院 MRSEC 共享實(shí)驗(yàn)設(shè)施的設(shè)施,并得到了國(guó)家科學(xué)基金會(huì)的支持。