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昨天我們了解的MOS管（場效應管）的結構組成，以及各結構名字的功能運用，今天金譽半導體再帶大家深入的了解一下MOS管的種類以及相關基礎知識。

首先，MOS管分為結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。但按導電方式來劃分，場效應管又可分成耗盡型與增強型，見下圖：

而它倆的不同之處在于：結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。那什么是增強型，什么是耗盡型？

耗盡型：即在0柵偏壓時就能夠導電的器件，就是說耗盡型MOS管在G端( Gate )不加電壓時就有導電溝道存在。

增強型：即在0柵偏壓時是不導電的器件，只有當柵極電壓的大于其閾值電壓時才能出現導電溝道的場效應晶體管，也就是說增強型MOS管只有在開啟后，才會出現導電溝道。

因此可以看出，它們的工作原理是不同的：

耗盡型：當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。即：耗盡型MOS管的VGS (柵極電壓)可以用正、零負電壓控制導通。

增強型：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。即：增強型MOS管必須使得VGS>VGS (th) (柵極閾值電壓)能導通。

另外，增強型和耗盡型MOS管在結構上也是不同的

耗盡型：場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。

增強型：增強型的原始溝道較窄、摻雜濃度較低，使得在柵電壓為0時溝道即被夾斷，只有加上正柵偏壓 (必須小于0.5V) 時才產生溝道而導電；輸出伏安特性仍然為飽和特性。

在實際運用中，由于耗盡型N溝道MOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的Na+或K+正離子(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離子)，當VGS=0時，這些正離子產生的電場能在P型襯底中感應出足夠的電子，形成N型導電溝道；當VGS>0時，將產生較大的ID (漏極電流)；如果使VGS<0，則它將削弱正離子所形成的電場，使N溝道變窄，從而使ID減小。

　　這些特性使得耗盡型MOS管在實際應用中，當設備開機時可能會誤觸發(fā)MOS管，導致整機失效，因此在驅動中，通常使用的是NMOS，這也是市面上無論是應用還是產品種類，增強型NMOS管最為常見的原因，尤其在開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS管。