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MOS管和三極管相比有何不同

發(fā)表時(shí)間:2022-11-02
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晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的元器件,有非常多的種類。最常見(jiàn)的兩種晶體管應(yīng)該要屬雙極型晶體管(三極管)和MOS管了吧,那它倆之間的區(qū)別是什么呢?先讓我們再?gòu)?fù)習(xí)一下之前所說(shuō)的:

三極管分為兩種:NPN和PNP。

NPN是一個(gè)雙極結(jié)晶體管(BJT),有三條腿,分別是:基極(b)、集電極(c)、發(fā)射極(e),NPN晶體管是最常見(jiàn)的三極管(BJT)。

但是還有另一種稱為PNP晶體管,其工作方式相同,只是所有電流都朝相反的方向。

MOSFET管是另一種非常常見(jiàn)的晶體管類型。它也具有三個(gè)引腳:柵極(G)、漏極(D)、源極(S)

MOS管和三極管同為晶體管,它們之間的工作原理也有些類似之處

1).MOS管的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似,左圖圖示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳,右圖圖示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對(duì)應(yīng)圖。

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2).它倆最大的不同是:MOS管是電壓控制電流器件,經(jīng)過(guò)柵極電壓操控源漏間導(dǎo)通電阻,普通的晶體三極管是電流控制電流器件,經(jīng)過(guò)基極較小的電流操控較大的集電極電流。MOS管道放大系數(shù)是(跨導(dǎo)gm)當(dāng)柵極電壓改變一伏時(shí)能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)(貝塔β)當(dāng)基極電流改變一毫安時(shí)能引起集電極電流變化多少。

 

3).MOS管柵極和其它電極是絕緣的,不產(chǎn)生電流;而三極管工作時(shí)基極電流IB決定集電極電流IC。因此MOS管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。

 

4).MOS管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電;三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電,因少數(shù)載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,所以MOS管比三極管的溫度穩(wěn)定性好。

 

5).MOS管在源極未與襯底連在一起時(shí),源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大這一點(diǎn)金譽(yù)半導(dǎo)體有專門講過(guò),而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí),其特性差異很大,b 值將減小很多,因此MOS管協(xié)調(diào)能力比晶體管好。

 

6).MOS管的噪聲系數(shù)很小,在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用MOS管。

 

7) MOS管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開關(guān)電路,但是MOS管制造工藝簡(jiǎn)單,并且又具有普通晶體三極管不能比擬的優(yōu)秀特性,在各種電路及應(yīng)用中正逐步的取代普通晶體三極管,目前的大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中,已經(jīng)廣泛的采用MOS管

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