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從能帶角度看三個半導體材料時代

第三代半導體材料是指Ⅲ族氮化物（如氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）等）、碳化硅、氧化物半導體（如氧化鋅（ZnO）、氧化鎵（Ga2O3）、鈣鈦礦（CaTiO3）等）和金剛石等寬禁帶半導體材料。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)越性質(zhì)，因此采用第三代半導體材料制備的半導體器件不僅能在更高的溫度下穩(wěn)定運行，而且在高電壓、高頻率狀態(tài)下更為可靠，此外還能以較少的電能消耗，獲得更高的運行能力。

氮化鎵（GaN）材料的發(fā)展?jié)摿τ卸啻螅?

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機車、工業(yè)電機等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?

GaN氮化鎵材料，主要適用于哪些領(lǐng)域

GaN器件是平面器件，與現(xiàn)有的Si半導體工藝兼容性強，因此更容易與其他半導體器件集成，進一步降低用戶的使用門檻，并在不同應用領(lǐng)域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢，很有可能徹底改變世界。

GaN氮化鎵的4種封裝解決方案

對于氮化鎵產(chǎn)品的封裝，主要有4種封裝解決方案。 1. 晶體管封裝，在其設(shè)計中包含一個或多個HEMT(High electron mobility transistor)； 2. 系統(tǒng)級封裝(SiP)，同一包封體中封裝不同功能的芯片； 3. 系統(tǒng)芯片封裝(SoC)，將不同功能芯片通過晶圓級重構(gòu)，在性能上更加突出； 4. 模塊化封裝，將多個功率封裝個體集成在一個模塊包中。

氮化鎵（GAN)有什么優(yōu)越性

它的基礎(chǔ)特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。