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半導(dǎo)體分立器件行業(yè)分析報告:2021中國半導(dǎo)體分立器件市場結(jié)構(gòu)分析
據(jù)發(fā)布的《2021-2027中國半導(dǎo)體分立器件市場現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢》行業(yè)分析報告的數(shù)據(jù)顯示,在2019年全球分立器件的市場規(guī)模就達到了四百零三億元,并且在2015到2019年的市場復(fù)合增長率是百分之五點三,而在中國市場的分立器件市場規(guī)模增加了,從2015年的一百一十億美元增加到了2019年的一百四十五億美元,其2015到2019年的市場復(fù)合年增長率是百分之七點三。
1、全球分立器件市場規(guī)模在不斷增加
分立功率半導(dǎo)體器件是指用在電力電子作為開關(guān)與整流器的分立半導(dǎo)體器件,并且跟其他功率器件組裝時來作為功率IC的一部分,同時分立功率半導(dǎo)體器件可以分成三極管、品閘管與二極管。
在未來,由于全球需求的普遍增加,再加上中國制造分立器件的能力增長,那么可以預(yù)計市場規(guī)模會繼續(xù)增長。
前面在全球上除了MOS之外的三極管,比如IGBT及BJT在根據(jù)產(chǎn)品類別劃分的市場份額都保持在領(lǐng)先,在2019年占了百分之三十六點九,市場份額排在第二位的是二極管,在2019年占比是百分之三十二點七,而MOS市場份額是百分之二十六,排在第三。
2、MOSFET在中國市場占據(jù)首位
在中國市場分立功率半導(dǎo)體器件的市場規(guī)模快速增長,由2015年的一百一十億美元增加到2019年的一百四十五億美元,2015到2019年的市場復(fù)合年增長率在是百分之七點三,在未來根據(jù)全球需求的普遍上升,同時再加上中國制造分立器件如MOSFET、二極管及三極管的產(chǎn)能,市場規(guī)模還會繼續(xù)增長。
按器件類別來區(qū)分,MOSFET在分立功率半導(dǎo)體器件當中排在首位,在2019年占市場規(guī)模的百分之三十六點三,第二是二極管、另外是三極管及晶閘管,市場份額是百分之三十二點二、百分之二十及百分之五點五。
在MOSFET下游應(yīng)用及消費電子產(chǎn)品快速發(fā)展的基礎(chǔ)下,根據(jù)MOSFET銷售所區(qū)分的市場規(guī)模由2015年的三十七億美元增至2019年的五十三億美元,而且在2015到2019年市場復(fù)合增長率是百分之九點二。