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一文了解場(chǎng)效應(yīng)三極管型號(hào)規(guī)則及參數(shù)含義

場(chǎng)效應(yīng)三極管管現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法，型號(hào)的第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如，3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理及特點(diǎn)和作用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管?。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。

電阻器尺寸和封裝標(biāo)準(zhǔn)

表面貼裝電阻器的形狀和尺寸已標(biāo)準(zhǔn)化，大多數(shù)制造商都使用 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。貼片電阻的尺寸由數(shù)字代碼表示，例如0603。該代碼包含封裝的長(zhǎng)度和寬度。因此，英制代碼 0603 表示長(zhǎng)度為 0.060"，寬度為 0.030"。

GaN開啟了“無(wú)限復(fù)制”時(shí)代！

外延技術(shù)，即在半導(dǎo)體制造中將半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)成對(duì)齊良好的薄膜，對(duì)于半導(dǎo)體制造至關(guān)重要。使用外延技術(shù)進(jìn)行的GaN遠(yuǎn)程同質(zhì)外延在GaN芯片上形成了二維材料。可以在芯片上生長(zhǎng)出與芯片質(zhì)量相同的GaN半導(dǎo)體，并容易地移除，從而實(shí)現(xiàn)使用單個(gè)GaN芯片連續(xù)生產(chǎn)GaN半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體“黑科技”：氮化鎵

GaN作為第三代半導(dǎo)體材料，其性質(zhì)決定了將更適合4G乃至未來(lái)5G等技術(shù)的應(yīng)用。從現(xiàn)在的市場(chǎng)狀況來(lái)看，GaAs仍然是手機(jī)終端PA和LNA等的主流，而LDMOS則處于基站RF的霸主地位。但是，伴隨著Si材料和GaAs材料在性能上逐步達(dá)到極限，我們預(yù)計(jì)GaN半導(dǎo)體將會(huì)越來(lái)越多的應(yīng)用在無(wú)線通信領(lǐng)域中。