久久国产精品日本波多野结衣_成人午夜性一级a毛片_黄色网站一级免费在线观看_香蕉婷婷在线观看免费_每日更新最新亚洲精品在线无码_ee久久综合国产乱子伦精品免费_亚洲美女性爱免费版_少妇被黑人到高出白浆_日韩人妻αv无码_中国精品熟妇睡眠中出

從能帶角度看三個(gè)半導(dǎo)體材料時(shí)代

第三代半導(dǎo)體材料是指Ⅲ族氮化物（如氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）等）、碳化硅、氧化物半導(dǎo)體（如氧化鋅（ZnO）、氧化鎵（Ga2O3）、鈣鈦礦（CaTiO3）等）和金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性質(zhì)，因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件不僅能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)行，而且在高電壓、高頻率狀態(tài)下更為可靠，此外還能以較少的電能消耗，獲得更高的運(yùn)行能力。

氮化鎵（GaN）材料的發(fā)展?jié)摿τ卸啻螅?

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?

GaN氮化鎵材料，主要適用于哪些領(lǐng)域

GaN器件是平面器件，與現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強(qiáng)，因此更容易與其他半導(dǎo)體器件集成，進(jìn)一步降低用戶的使用門檻，并在不同應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢(shì)，很有可能徹底改變世界。

GaN氮化鎵的4種封裝解決方案

對(duì)于氮化鎵產(chǎn)品的封裝，主要有4種封裝解決方案。 1. 晶體管封裝，在其設(shè)計(jì)中包含一個(gè)或多個(gè)HEMT(High electron mobility transistor)； 2. 系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)，同一包封體中封裝不同功能的芯片； 3. 系統(tǒng)芯片封裝(SoC)，將不同功能芯片通過(guò)晶圓級(jí)重構(gòu)，在性能上更加突出； 4. 模塊化封裝，將多個(gè)功率封裝個(gè)體集成在一個(gè)模塊包中。

氮化鎵（GAN)有什么優(yōu)越性

它的基礎(chǔ)特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。